滥设障碍!美国宣布升级超宽禁带半导体材料等技术出口限制
财联社8月12日讯(编辑 史正丞)当地时间周五,滥设料美国商务部工业与安全局(BIS)在联邦公报上披露了一项出口限制加码的障碍临时最终决定,涉及先进半导体、美国涡轮发动机等领域。宣布限制
(来源:联邦公报)
根据公报,升级工业与安全局决定对《商务部管制清单》(CCL)和《出口管理条例》(EAR)同步实施修订,超宽出口对四项技术实施管制。禁带技术
美国商务部主管工业与安全的半导副部长Alan Estevez介绍称,使半导体和发动机等技术能够更快、体材更高效、滥设料更长时间,障碍以及在更恶劣条件下运行的美国科技进步,可能会在商业和军事环境中“改变游戏规则”。宣布限制
据悉,升级此次被升级出口管制的超宽出口技术包括:
宽禁带半导体材料氧化镓(Ga2O3)和金刚石:氮化镓和碳化硅是生产复杂的微波、毫米波设备,或大功率半导体器件的主要材料。而氧化镓和金刚石有潜力能制造出更加复杂的设备,同时能耐受更高的电压或温度。
开发GAAFET(全栅场效应晶体管)结构集成电路的ECAD软件:电子计算机辅助软件(EDA/ECAD),用于设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板的性能。作为FinFET的继任者,GAAFET(全栅场效应晶体管)被视为量产3nm及以下工艺制程的关键技术。BIS也在征求公众意见,以决定哪些ECAD的具体功能特别适用于设计GAAFET电路,以确保美国政府能够有效实施这项管制。
压力增益燃烧技术(PGC):这项技术有潜力能提高燃气涡轮发动机10%以上效率,潜在影响航空航天、火箭和超高音速导弹系统。PGC技术利用多种物理现象,包括共振脉冲燃烧、定容燃烧和爆震,导致穿过燃烧器的有效压力上升,而消耗的燃烧量相同。BIS目前无法确认任何正在生产中的引擎使用了这项技术,但目前已经有大量研究指向潜在生产。
(责任编辑:探索)
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